科学家和工程师们一直在追求更快、更强大的技术设备,但我们亟需更高效的电子设备。一个有前景的方向是利用太赫兹波,这一电磁频谱中位于红外与微波之间的较少探索的区域。太赫兹波对导电系统中的载流子表现出独特的敏感性,成为研究新材料磁性质的有力工具。
在超快电子学和相干太赫兹源的研究中,通过在纳米级界面上精确且快速地控制光诱导的电荷电流,可以获得显著的进展。
现有技术包括逆自旋-霍尔效应(ISHE)、逆Rashba-Edelstein效应和逆自旋-轨道-扭矩效应,这些方法将自旋极化电流从磁性材料纵向注入并转换为横向电荷电流,从而产生太赫兹波。然而,这些相对论机制依赖于外部磁场,并且存在低自旋极化率和以自旋-霍尔角为特征的相对论性自旋-电荷转换效率。
在这种背景下,最近发表在《高级光子学》上的一项研究提出了一种非相对论性和非磁性的方法,直接利用光触发的高密度电荷电流。
这项开创性研究由复旦大学表面物理国家重点实验室、物理系、微纳米光子结构重点实验室(MOE)、上海量子科学研究中心、北京师范大学高级量子研究中心及物理系的研究人员共同完成。
研究中利用了两种导电金红石氧化物的电各向异性:反铁磁性RuO2和非磁性IrO2。这些氧化物的单晶薄膜能够偏转从光激发金属薄膜注入的超扩散电荷电流,将其从纵向重新定向到横向,进而产生高效的宽带太赫兹辐射。
研究人员通过多种金属薄膜的制作,发现铂(Pt)是最具潜力的材料。他们制备了Pt/RuO2(101)和Pt/IrO2(101)薄膜异质结构,并测量了其太赫兹振幅。基于Ir的系统产生的信号强度是基于非线性光学晶体和光导开关的商用太赫兹源信号的三倍。
与传统方法依赖于将电荷电流转换为自旋极化电流不同,新方法利用了导电材料的固有特性,消除了对自旋极化的需求。此外,这种新机制提供了与ISHE机制相当的高太赫兹转换效率。
值得注意的是,使用易于获得的高各向异性导电材料是提升转换效率的关键。因此,与现有技术相比,这种方法具有更大的灵活性和可扩展性,而现有技术则受到进一步增加重金属材料自旋霍尔角的挑战。
这项技术的意义超越了高效的太赫兹波产生。通过利用金属界面上高密度电荷电流的潜力,它有望在能量收集、超快电子和太赫兹光谱学中发挥作用。这将推动包括太阳能电池、人工光合作用和高效光电器件等多种现代技术的进步。
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